<!DOCTYPE article
PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.4 20190208//EN"
       "JATS-journalpublishing1.dtd">
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.4" xml:lang="en">
 <front>
  <journal-meta>
   <journal-id journal-id-type="publisher-id">TAURIDA JOURNAL OF COMPUTER SCIENCE THEORY AND MATHEMATICS</journal-id>
   <journal-title-group>
    <journal-title xml:lang="en">TAURIDA JOURNAL OF COMPUTER SCIENCE THEORY AND MATHEMATICS</journal-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>Таврический Вестник Информатики и Математики</trans-title>
    </trans-title-group>
   </journal-title-group>
   <issn publication-format="print">1729-3901</issn>
  </journal-meta>
  <article-meta>
   <article-id pub-id-type="publisher-id">54986</article-id>
   <article-id pub-id-type="doi">10.29039/1729-3901-2021-20-1-81-100</article-id>
   <article-categories>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru">
     <subject>Основная рубрика</subject>
    </subj-group>
    <subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en">
     <subject>Main category</subject>
    </subj-group>
    <subj-group>
     <subject>Основная рубрика</subject>
    </subj-group>
   </article-categories>
   <title-group>
    <article-title xml:lang="en">On the correctness of mathematical models of diffusion and cathodoluminescence</article-title>
    <trans-title-group xml:lang="ru">
     <trans-title>О корректности математических моделей диффузии и катодолюминесценции</trans-title>
    </trans-title-group>
   </title-group>
   <contrib-group content-type="authors">
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Туртин</surname>
       <given-names>Д. В.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Turtin</surname>
       <given-names>D. V.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-1"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Степович</surname>
       <given-names>Михаил Адольфович</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Stepovich</surname>
       <given-names>Mikhail A.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <email>m.stepovich@rambler.ru</email>
     <bio xml:lang="ru">
      <p>доктор физико-математических наук;</p>
     </bio>
     <bio xml:lang="en">
      <p>doctor of physical and mathematical sciences;</p>
     </bio>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-2"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Калманович</surname>
       <given-names>Вероника Валерьевна V</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Kalmanovich</surname>
       <given-names>V V</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <email>v572264@yandex.ru</email>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-3"/>
    </contrib>
    <contrib contrib-type="author">
     <name-alternatives>
      <name xml:lang="ru">
       <surname>Картанов</surname>
       <given-names>А. А.</given-names>
      </name>
      <name xml:lang="en">
       <surname>Kartanov</surname>
       <given-names>A. A.</given-names>
      </name>
     </name-alternatives>
     <xref ref-type="aff" rid="aff-4"/>
    </contrib>
   </contrib-group>
   <aff-alternatives id="aff-1">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Российский экономический университет имени Г.В. Плеханова</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Plekhanov Russian University of Economics</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-2">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Калужский государственный университет им. Циолковского</institution>
     <city>Калуга</city>
     <country>Россия</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Tsiolkovsky Kaluga State University</institution>
     <city>Ka</city>
     <country>Russian Federation</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-3">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Калужский государственный университет им. Циолковского</institution>
     <country>ru</country>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Tsiolkovsky Kaluga State University</institution>
     <country>ru</country>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <aff-alternatives id="aff-4">
    <aff>
     <institution xml:lang="ru">Калужский государственный университет имени К. Э. Циолковского</institution>
    </aff>
    <aff>
     <institution xml:lang="en">Kaluga State University named after K.E. Tsiolkovsky</institution>
    </aff>
   </aff-alternatives>
   <pub-date publication-format="print" date-type="pub" iso-8601-date="2022-11-25T14:24:13+03:00">
    <day>25</day>
    <month>11</month>
    <year>2022</year>
   </pub-date>
   <pub-date publication-format="electronic" date-type="pub" iso-8601-date="2022-11-25T14:24:13+03:00">
    <day>25</day>
    <month>11</month>
    <year>2022</year>
   </pub-date>
   <issue>1</issue>
   <fpage>81</fpage>
   <lpage>100</lpage>
   <history>
    <date date-type="received" iso-8601-date="2022-11-09T00:00:00+03:00">
     <day>09</day>
     <month>11</month>
     <year>2022</year>
    </date>
   </history>
   <self-uri xlink:href="http://tvim.info/node/1052">http://tvim.info/node/1052</self-uri>
   <abstract xml:lang="ru">
    <p>Рассмотрены математические модели стационарной диффузии и катодолюминесценции неравновесных неосновных носителей заряда, генерируемых широким электронным пучком в однородных и многослойных полупроводниковых материалах. Использование широких электронных пучков позволяет свести эти задачи к одномерным и описать эти математические модели обыкновенными дифференциальными уравнениями. Рассмотрены следующие модели диффузии неравновесных неосновных носителей заряда в однородных полупроводниках: модель коллективного движения и модель независимых источников для полуограниченных мишеней~--- и модель, описывающая диффузионный процесс в многослойной полупроводниковой структуре конечной толщины, имеющей произвольное конечное число слоёв, а также модель катодолюминесценции, возникающей при излучательной рекомбинации генерированных электронным пучком неравновесных носителей заряда.&#13;
Проведено исследование рассмотренных моделей, включая доказательство единственности решений и непрерывной зависимости решений от данных задачи для полуограниченных материалов. Получены оценки решения рассматриваемых задач, позволяющие использовать их в электронно--зондовых технологиях.</p>
   </abstract>
   <trans-abstract xml:lang="en">
    <p>Mathematical models of diﬀusion and cathodoluminescence of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide electron beam in homogeneous and multilayer semiconductor materials are considered. The use of wide electron beams makes it possible to reduce these problems to one–dimensional ones and to describe these mathematical models by ordinary diﬀerential equations.</p>
   </trans-abstract>
   <kwd-group xml:lang="ru">
    <kwd>математическая модель</kwd>
    <kwd>стационарное дифференциальное уравнение тепломассопереноса</kwd>
    <kwd>обыкновенные дифференциальные уравнения</kwd>
    <kwd>задача Коши</kwd>
    <kwd>катодолюминесценция.</kwd>
   </kwd-group>
   <kwd-group xml:lang="en">
    <kwd>mathematical model</kwd>
    <kwd>stationary differential heat and mass transfer equation</kwd>
    <kwd>ordinary differential equations</kwd>
    <kwd>Cauchy problem</kwd>
    <kwd>cathodoluminescence</kwd>
   </kwd-group>
  </article-meta>
 </front>
 <body>
  <p></p>
 </body>
 <back>
  <ref-list>
   <ref id="B1">
    <label>1.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Бонч-Бруевич, В. Л., Калашников, С. Г. Физика полупроводников: Учебн. посо- бие для вузов. - М.: Наука, Главная редакция физ.-мат. литературы, 1990. - 685 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">BONCH-BRUEVICH,V.L., and KALASHNIKOV,S.G. (1990) The Physics of Semiconductors. Moscow: Nauka. 685 pp. (in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B2">
    <label>2.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973. - 384 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">PANKOVE, J. I. (2010) Optical Processes in Semiconductors. Dover Publications; 2nd revised ed. 448 pp.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B3">
    <label>3.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">YACOBI, B. G., HOLT, D. B. (1990) Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. Plenum Press, New York. 354 pp.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">YACOBI, B. G., HOLT, D. B. (1990) Cathodoluminescence microscopy of inorganic solids. Plenum Press, New York. 354 pp.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B4">
    <label>4.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Степович, М. А. Количественная катодолюминесцентная микроскопия прямозон- ных материалов полупроводниковой оптоэлектроники: Дис. ... д-ра физ.-мат. наук (01.04.07). - М.: Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 2003. - 351 с</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A. (2003) Quantitative Cathodoluminescent Microscopy of Direct- Gap Materials of Semiconductor Optoelectronics. Thesis Dr. Phys.-Math. Sci. Moscow: Bauman Moscow State Technical University. 351 pp. (in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B5">
    <label>5.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Броудай, И., Мерей, Дж. Физические основы микротехнологии. - М.: Мир,1985. - 496 c.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">BRODIE, IVOR, MURAY, JULIUS J. (1982) The Physics of Microfabrication. Plenum Press, New York and London: SRI International (formerly Stanford Research Institute). 504 pp.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B6">
    <label>6.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Брандон, Д., Каплан, У. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля. - М.: Техносфера, 2004. - 377 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">BRANDON, DAVID, KAPLAN WAYNE D. (2013) Microstructural Characterization of Materials. 2nd Ed. John Wiley &amp; Sons Ltd.. 552 pp.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B7">
    <label>7.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий. Методы и применение / Под ред. У. Жу и Ж. Л. Уанга. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. - 582 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">Ed. by Weili ZHOU and Zhong Lin WANG. (2006) Scanning Microscopy for Nanotechnology. Technicues and Applications. Springer Science+Business Media, LLC. 522 pp.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B8">
    <label>8.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Поляков, А. Н., Степович, М. А., Туртин, Д. В. Математическое моделирование катодолюминесценции экситонов, генерированных узким электронным пучком в полупроводниковом материале // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, No 12. - С. 1629-1633.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">POLYAKOV, A. N., STEPOVICH, M. A., TURTIN, D. V. (2016) Mathematical modeling of the cathodoluminescence of excitons generated by a narrow electron beam in a semiconductor material. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 80 (12). p. 1436-1440.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B9">
    <label>9.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">POLYAKOV, A. N., SMIRNOVA, A. N., STEPOVICH, M. A., TURTIN, D. V. (2018) Qualitative properties of a mathematical model of the diffusion of excitons generated by electron probe in a homogeneous semiconductor material. Lobachevskii Journal of Mathematics. 39(2). p. 259-262.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">POLYAKOV, A. N., SMIRNOVA, A. N., STEPOVICH, M. A., TURTIN, D. V. (2018) Qualitative properties of a mathematical model of the diffusion of excitons generated by electron probe in a homogeneous semiconductor material. Lobachevskii Journal of Mathematics. 39(2). p. 259-262.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B10">
    <label>10.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">STEPOVICH, MIKHAIL A. Turtin, Dmitry V., Seregina, Elena V., Kalmano- vich, Veronika V. (2019) On the correctness of mathematical models of time-of-flight cathodoluminescence of direct-gap semiconductors. ITM Web of Conferences. 30. p. Art. No. 07014.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, MIKHAIL A. Turtin, Dmitry V., Seregina, Elena V., Kalmano- vich, Veronika V. (2019) On the correctness of mathematical models of time-of-flight cathodoluminescence of direct-gap semiconductors. ITM Web of Conferences. 30. p. Art. No. 07014.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B11">
    <label>11.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">STEPOVICH, M. A., TURTIN, D. V., SEREGINA, E. V., and POLYAKOV, A. N. (2019) On the qualitative characteristics of a two-dimensional mathematical model of diffusion of minority charge carriers generated by a low-energy electron beam in a homogeneous semiconductor material. Journal of Physics: Conf. Series. 1203. p. Art. No. 012095.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A., TURTIN, D. V., SEREGINA, E. V., and POLYAKOV, A. N. (2019) On the qualitative characteristics of a two-dimensional mathematical model of diffusion of minority charge carriers generated by a low-energy electron beam in a homogeneous semiconductor material. Journal of Physics: Conf. Series. 1203 p. Art. No. 012095..</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B12">
    <label>12.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">TURTIN, D. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Qualitative Analysis of a Class of Differential Equations of Heat and Mass Transfer in a Condensed Material. Journal of Mathematical Sciences. 250(1). p. 166-174.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">TURTIN, D. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Qualitative Analysis of a Class of Differential Equations of Heat and Mass Transfer in a Condensed Material.Journal of Mathematical Sciences. 250(1). p. 166-174.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B13">
    <label>13.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Туртин, Д. В., Серегина, Е. В., Степович, М. А. Качественный анализ одного класса дифференциальных уравнений тепломассопереноса в конденсированном веществе // Проблемы математического анализа: Межвузовский сборник. - 2020. - Вып. 104. - С. 149-156.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">TURTIN, D. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Qualitative analysis of one class of differential equations of heat and mass transfer in condensed matter. Problems of Mathematical Analysis: Interuniversity Collection [Problemy matematicheskogo analiza: Mezhvuzovskiy sbornik]. (104). p. 149-156. (in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B14">
    <label>14.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Филачев, А. М., Таубкин, И. И., Тришенков, М. А. Твердотельная фотоэлектро- ника. Фотодиоды. - М.: Физматкнига, 2011. - 448 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">FILACHEV, A. M., TAUBKIN, I. I., TRISHENKOV, M. A. (2011) Solid-state photoelectronics. Photodiodes. Moscow: Fizmatkniga. 448 pp. (in Russian)</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B15">
    <label>15.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Филачев, А. М., Таубкин, И.И., Тришенков, М. А. Твердотельная фотоэлектро- ника. Фоторезисторы и фотоприёмные устройства. - М.: Физматкнига, 2012. - 368 с.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">FILACHEV, A. M., TAUBKIN, I. I., TRISHENKOV, M. A. (2012) Solid-state photoelectronics. Photoresistors and photodetectors. Moscow: Fizmatkniga. 368 pp. (in Russian)</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B16">
    <label>16.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Алексеев Алексей, Красовицкий Дмитрий, Петров Станислав, Чалый Виктор. Многослойные гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN/AlGaN - основа новой компо- нентной базы твердотельной СВЧ-электроники // Компоненты и технологии. - 2008. - No 2. - C. 138-142.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">ALEXEEV, ALEXEI, KRASOVITSKII, DMITRII, PETROV, STANISLAV, TCHALII, VIKTOR (2016) Multi-layered heterostructure AlN/AlGaN/GaN/AlGaN - the basis of the new component base of the solid-state circuit. Equipment and technology [Komponenti i tekhnologii]. (2). p. 138-142.(in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B17">
    <label>17.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Долгий А. Л., Писаренко Н. С., Бондаренко В. П. Гетероэпитаксиальные пленки нитрида галлия на пористом кремнии // Материалы и структуры современной электроники: Материалы IX международной научной конференции (14-16 октяб- ря 2020 г., г. Минск, Белорусский государственный университет). - Минск: БГУ, 2020. - С. 45-50.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">DOLGII, A. L., PISARENKO, N. S., BONDARENKO, V. P. (2020) Heteroepitaxial films of gallium nitride on porous silicon. Materials and structures of modern electronics: Materials of the international conference (October 14-16, 2020, Minsk, Belarusian State University) [Materialy i struktury sovremennoy elektroniki: Materialy mezhdunarodnoy konferentsii (14-16 oktyabrya 2020, Minsk, Belorusskiy gosudarstvennyy universitet)]. p. 45-50.( in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B18">
    <label>18.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Михеев, Н. Н., Никоноров, И. М., Петров, В. И., Степович, М. А. Определение электрофизических параметров полупроводников в растровом электронном микроскопе методами наведенного тока и катодолюминесценции // Известия АН СССР. Серия физическая. - 1990. - T. 54, No 2. - C. 274-280.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">MIKHEEV, N. N., NIKONOROV, I. M., PETROV, V. I., STEPOVICH, M. A. (1990) Determining the Electro-physical Parameters of Semiconductors in a Raster Electron Microscope by the Induced-Current and Cathodoluminescence Methods. Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR. Physical Series. 54 (2). p. 82-88.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B19">
    <label>19.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Михеев, Н. Н., Петров, В. И., Степович, М. А. Количественный анализ материа- лов полупроводниковой оптоэлектроники методами растровой электронной мик- роскопии // Известия РАН. Серия физическая. - 1991. - T. 55, No 8. - C. 1474- 1482.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">MIKHEEV, N. N., PETROV, V. I., STEPOVICH, M. A. (1991) Quantitative Analysis of Semiconductor Optoelectronic Materials by Raster Electron Microscopy. Bulletin of the Academy of Sciences of the USSR. Physical Series. 55 (8). p. 1-9.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B20">
    <label>20.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Михеев, Н. Н., Степович, М. А. Распределение энергетических потерь при взаи- модействии электронного зонда с веществом // Заводская лаборатория. Диагно- стика материалов. - 1996. - Т. 62, No 4. - С. 20-25.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">MIKHEEV,N.N., STEPOVICH,M.A. (1996) Distribution of Energy Losses in Interaction of an Electron Probe with Material. Industrial Laboratory. 62(4). p. 221-226.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B21">
    <label>21.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">WITTRY, D. B., KYSER, D. F. (1967) Measurements of diffusion lengths in direct- gap semiconductors by electron beam excitation. J. Appl. Phys. 38(1). p. 375-382.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">WITTRY, D. B., KYSER, D. F. (1967) Measurements of diffusion lengths in direct- gap semiconductors by electron beam excitation. J. Appl. Phys. 38(1). p. 375-382.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B22">
    <label>22.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">KYSER, D. F., WITTRY, D. B. (1967) Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors. J. Proc. IEEE. 55(3). p. 733-734.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">KYSER, D. F., WITTRY, D. B. (1967) Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors. J. Proc. IEEE. 55(3). p. 733-734.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B23">
    <label>23.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">RAO-SAHIB, T. S., WITTRY, D.B. (1969) Measurements of diffusion lengths in p-type gallium arsenide by electron beam excitation. J. Appl. Phys. 40(9). p. 3745-3750.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">RAO-SAHIB, T. S., WITTRY, D.B. (1969) Measurements of diffusion lengths in p-type gallium arsenide by electron beam excitation. J. Appl. Phys. 40(9). p. 3745-3750.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B24">
    <label>24.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">ROOSBROECK, VAN W. (1955) Injected current transport in semi-infinite semiconductor and determination of lifetimes and surface recombination velosities. J. Appl. Phys. 26(1). p. 380-387.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">ROOSBROECK, VAN W. (1955) Injected current transport in semi-infinite semiconductor and determination of lifetimes and surface recombination velosities. J. Appl. Phys. 26(1). p. 380-387.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B25">
    <label>25.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Белов, А. А., Петров, В. И., Степович, М. А. Использование модели независимых источников для расчета распределений неосновных носителей заряда, генериро- ванных в полупроводниковом материале электронным пучком // Известия РАН. Серия физическая. - 2002. - Т. 66, No 9. - С. 1317-1322.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">BELOV, A. A., PETROV, V. I., STEPOVICH, M. A. (2002) Model of independent sources used in calculation of minority charge carriers generated by electron beam in semiconductor. Izvestiya Akademii Nauk SSSR. Ser. Fizicheskaya. 66 (9). p. 1317-1323.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B26">
    <label>26.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Степович, М. А., Снопова, М. Г., Хохлов, А. Г. Использование модели независи- мых источников для расчёта распределения неосновных носителей заряда, гене- рированных в двухслойном полупроводнике электронным пучком // Прикладная физика. - 2004. - No 3. - С. 61-65.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A., KHOKHLOV, A. G., SNOPOVA, M. G. (2004) Model of independent sources used for calculation of distribution of minority charge carriers generated in two-layer semiconductor by electron beam. Applied Physics [Prikladnaya fizika]. (3). p. 61-65.( in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B27">
    <label>27.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">STEPOVICH, M. A., KHOKHLOV, A. G., SNOPOVA, M. G. (2004) Model of independent sources used for calculation of distribution of minority charge carriers generated in two-layer semiconductor by electron beam. Proc. SPIE. 5398. p. 159-165.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A., KHOKHLOV, A. G., SNOPOVA, M. G. (2004) Model of independent sources used for calculation of distribution of minority charge carriers generated in two-layer semiconductor by electron beam. Proc. SPIE. 5398. p. 159-165.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B28">
    <label>28.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Burylova, I. V., Petrov, V. I., Snopova, M. G., Stepovich, M. A. Mathematical simulation of distribution of minority charge carriers, generated in multy-layer semiconducting structure by a wide electron beam // Физ. и техн. полупровод- ников. - 2007. - Т. 41, вып. 4. - С. 458-461.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">BURYLOVA, I. V., PETROV, V. I., SNOPOVA, M. G., STEPOVICH, M. A. (2007) Mathematical simulation of distribution of minority charge carriers, generated in multy-layer semiconducting structure by a wide electron beam. Semiconductors. 41(4). p. 444-447.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B29">
    <label>29.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Снопова, М. Г., Бурылова, И. В., Петров, В. И., Степович, М. А. Анализ моде- ли распределений неосновных носителей заряда, генерированных в трёхслойной полупроводниковой структуре широким электронным пучком // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - No 7. - С. 1-6.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">SNOPOVA, M. G., BURYLOVA, I. V., PETROV, V. I., STEPOVICH, M. A. (2007) Analysis of a Model of Minority Charge-Carrier Distributions Generated in a Three- Layer Semiconductor Structure by a Wide Electron Beam. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 1(4). p. 406-410.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B30">
    <label>30.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Степович, М. А., Серегина, Е. В., Калманович, В. В. О некоторых аспектах мате- матического моделирования процессов тепломассопереноса, обусловленного об- лучением киловольтными электронами // Сборник материалов ХХХ Крымской осенней математической школы-симпозиума по спектральным и эволюционным задачам (17-29 сентября 2019 г., пос. Батилиман, Республика Крым, Крымский федеральный университет им. В. И. Вернадского). - Симферополь: Полипринт, 2019. - С. 282-285.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A., SEREGINA, E. V., KALMANOVICH, V. V. (2019) About some aspects of mathematical modeling of heat and mass transfer processes due to irradiation with kilovolt electrons. Proceedings of the XXXth Crimean Autumn Mathematical School-Symposium on Spectral and Evolutionary Problems (September 17-19, 2019, Settlement Batiliman, Republic of Crimea, V. I. Vernadsky Crimean Federal University). - Simferopol: Polyprint. p. 282-285.(in Russian).</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B31">
    <label>31.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Серегина, Е. В., Калманович, В. В., Степович, М. А. О моделировании распре- делений неосновных носителей заряда, генерированных широким электронным пучком в многослойных планарных полупроводниковых структурах // Поверх- ность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2020. - No 7. - С. 69-74.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">SEREGINA, E. V., KALMANOVICH, V. V., STEPOVICH, M. A. (2020) On Modeling the Distributions of Minority Charge Carriers Generated by a Wide Electronic Beam in Planar Multilayer Semiconductor Structures. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 14(4). p. 713-717.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B32">
    <label>32.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Калманович, В. В., Серегина, Е. В., Степович, М. А. Математическое моделиро- вание явлений тепломассопереноса, обусловленных взаимодействием электрон- ных пучков с многослойными планарными полупроводниковыми структурами // Известия РАН. Серия физическая. - 2020. - Т. 84, No 7. - С. 1020-1026.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">KALMANOVICH, V. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Mathematical Modeling of Heat and Mass Transfer Phenomena Caused by Interaction between Electron Beams and Planar Semiconductor Multilayers. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 84(7). p. 844-850.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B33">
    <label>33.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">KALMANOVICH, V. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Comparison of analytical and numerical modeling of distributions of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide beam of medium-energy electrons in a two-layer semiconductor structure. Journal of Physics: Conf. Series. Applied Mathematics, Computational Science and Mechanics: Current Problems. 1479. p. Art. No. 012116.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">KALMANOVICH, V. V., SEREGINA, E. V., STEPOVICH, M. A. (2020) Comparison of analytical and numerical modeling of distributions of nonequilibrium minority charge carriers generated by a wide beam of medium-energy electrons in a two-layer semiconductor structure. Journal of Physics: Conf. Series. Applied Mathematics, Computational Science and Mechanics: Current Problems. 1479. p. Art. No. 012116.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
   <ref id="B34">
    <label>34.</label>
    <citation-alternatives>
     <mixed-citation xml:lang="ru">Степович, М. А., Калманович, В. В., Серегина, Е. В. О возможности приложе- ния матричного метода к моделированию катодолюминесценции, обусловленной широким электронным пучком в планарной многослойной полупроводниковой структуре // Известия РАН. Серия физическая. - 2020. - Т. 84, No 5. - С. 700- 703.</mixed-citation>
     <mixed-citation xml:lang="en">STEPOVICH, M. A., KALMANOVICH, V. V., SEREGINA, E. V. (2020) Possibility of Applying the Matrix Approach to Modeling the Cathodoluminscescence Caused by a Wide Electron Beam in a Planar Multilayer Semiconductor Structure. Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 84(5). p. 576-579.</mixed-citation>
    </citation-alternatives>
   </ref>
  </ref-list>
 </back>
</article>
